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鐵酸鉍單晶首次被集成到硅片

作者:中國儲能網(wǎng)新聞中心 來源:科技日報 發(fā)布時間:2013-11-25 瀏覽:次

中國儲能網(wǎng)訊:美國北卡羅來納州立大學(xué)的研究人員,首次將一種被稱為鐵酸鉍(BFO)的材料作為一個單晶體集成到一個硅片上,向制造新一代多功能智能設(shè)備邁出了關(guān)鍵一步。

鐵酸鉍具有鐵磁性和鐵電性雙重性能,這意味著它能夠被通過其中的電流磁化。鐵酸鉍的潛在應(yīng)用領(lǐng)域包括新磁性存儲設(shè)備、智能傳感器和自旋電子學(xué)技術(shù)等。

將鐵酸鉍作為一個單晶體集成在硅基板上,通過控制從鐵酸鉍中泄漏到硅基上的電荷數(shù)量,可以使其發(fā)揮更大效率。研究人員發(fā)現(xiàn),集成在硅基上的鐵酸鉍晶體在外延生長過程中能夠與錳酸鍶鑭(LSMO)電極很好地匹配,且可以使用小到4伏特的電流來關(guān)閉鐵酸鉍磁場的兩極,這與現(xiàn)有集成電路需要的電壓相當(dāng)。這對開發(fā)功能技術(shù)非常重要,因為高電壓和磁場不切實際并且需要消耗更多能量,會損害和中斷電子功能。

研究人員還發(fā)現(xiàn),一個低強度的外部磁場也能關(guān)閉鐵酸鉍的兩極,而且,由于外部磁場不會在鐵酸鉍中產(chǎn)生熱量,這將使它在某些應(yīng)用中顯得更為重要。

“這項工作意味著我們現(xiàn)在能夠開發(fā)出對數(shù)據(jù)具有更快感測、處理和反應(yīng)能力的智能設(shè)備,這些過程能發(fā)生在同一個芯片上,即數(shù)據(jù)不需要被中轉(zhuǎn)到其他地方?!表椖恐饕撠?zé)人、北卡羅來納州立大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)教授杰伊·納拉揚解釋說。

該研究項目得到了美國國家研究委員會和陸軍研究辦公室資助,成果發(fā)表于近期出版的《納米通訊》在線版上。

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