在材料學中，厚度為納米量級的晶體薄膜通常被視作二維的，即只有長寬，厚度可忽略不計，稱為二維納米材料。新研制出的這種材料厚度僅有11納米，它有著獨特的性質，電子在其內部能以極高速度運動。
科學家說，他們是從另一種奇妙的新材料——石墨烯得到啟發(fā)的。石墨烯是單層碳原子網，是人類已知的最薄材料，電子在其中也能高速運動。但石墨烯缺乏能隙，用它制造的晶體管無法實現電流開關。氧化鉬材料本身擁有能隙，將它制成類似石墨烯的薄片后，既支持電子高速運動，其半導體特性又適合制造晶體管。
科學家說，在新材料內部，電子極少因為遇到“路障”而散射，可以流暢地迅速運動。利用這種新材料可研制出更小、數據傳輸速度更快的電子元件和產品，例如性能與臺式電腦相當的平板電腦。
電子產品的性能取決于半導體集成能力，在過去幾十年里，技術進步使晶體管體積大大縮小，硅芯片性能提高了成千上萬倍，帶來了信息技術革命。但受限于硅材料本身的性質，傳統(tǒng)半導體技術已經趨近極限?？茖W家正在積極尋找新一代半導體核心材料。
研究小組已經用新材料制造出納米尺度的晶體管。他們預計，如果被電子工業(yè)所接受，氧化鉬有可能在5到7年內成為電子產品的標準材料。
這項研究主要是由澳大利亞聯邦科學與工業(yè)研究組織和皇家墨爾本理工大學的科學家合作完成的，相關論文發(fā)表在4日的《先進材料》雜志上。
