中國儲能網訊：在利用太陽能進行水分解的過程中，用于光吸收的材料（如硅、砷化鎵）很容易受到水溶液的腐蝕而喪失原有功能。
加州理工學院人工光合作用聯合中心（JCAP）的研究人員近日宣布開發(fā)出一種方法，能夠保護用于光吸收的半導體材料。
研究人員使用原子層沉積方法在單晶硅、砷化鎵或磷化鎵表面形成一層TiO2膜。其關鍵在于，這種TiO2是能夠漏電的，這種“漏電TiO2”膜的厚度為4~143納米之間，它能夠在保持透明的前提下，保護半導體免受水溶液的腐蝕。
在TiO2的表層，研究人員沉積了一些100納米厚的鎳氧化物的“島”，使其成為水分解過程的催化劑。
盡管該工作對于水分解反應中的氧化過程適用，但研究人員強調，尚無法得知是否能夠使用較為廉價、簡單的應用技術，如噴涂等方法將TiO2覆蓋于半導體表面。而且，該團隊的實驗只在連續(xù)光照下進行了幾百個小時，無法得知更長時間下的保護效果。
研究人員使用原子層沉積方法在單晶硅、砷化鎵或磷化鎵表面形成一層能夠漏電的TiO2膜，這種“漏電TiO2”膜的厚度為4~143納米之間，它能夠在保持透明的前提下，保護半導體免受水溶液的腐蝕。
