中國儲能網(wǎng)訊：英國倫敦納米技術研究中心的科學家在《應用物理學雜志》上報告說，他們研制出了可用于納米級量子電路的緊湊型高值電阻器，這種薄膜電阻有望推動量子計算器件和基礎物理研究的發(fā)展。
需要應用到高值電阻的一個例子就是量子相滑移（quantum phase-slip）電路。量子相滑移電路是用超導材料制作的狹窄電線制成的，它利用一種基本的、違反直覺的量子力學特性——量子隧穿效應，克服了經典物理學中難以逾越的能壘，使磁通量在電線中來回移動。2006年，荷蘭科維理納米科學研究所的科學家提出，量子相滑移電路可用于從新定義電流的國際單位——安培，目前的安培測量技術卻還延續(xù)著19世紀使用的宏觀測量方法，因此測量精度有限。有其他科學團隊也提出，可以將量子相滑移設備作為量子計算機的量子位。
在倫敦納米技術研究中心主攻納米器件的電子特性的實驗家保羅·沃伯頓說，需要用電阻將量子相滑移設備中脆弱的量子態(tài)與嘈雜的經典世界隔離開來，確保設備的穩(wěn)定運行。然而，用來制造集成電路電阻器的標準材料，通常并不能夠滿足量子相滑移電路所需要的微型化、高阻值電阻器的要求。因此，沃伯頓和他的同事轉為用化合物氧化鉻來開發(fā)這種緊湊型高值納米電阻。據(jù)物理學家組織網(wǎng)12月9日報道，他們采用濺射淀積技術，制造出了氧化鉻薄膜。通過控制薄膜中的氧含量，就能夠調整氧化鉻薄膜的電阻：氧含量越高，電阻值越大。
研究人員將納米薄膜電阻冷卻到4.2開氏度（零下268.95攝氏度），并測量了各種氧-鉻質量比下的電阻率。導電性能差的材料，比如這種氧化鉻薄膜，一般在低溫條件下會具有更高的電阻，而量子相滑移器件中使用的電阻也必須在足夠低的溫度下運行，以確保量子效應能夠“戰(zhàn)勝”經典效應并起作用。在氧含量最高的氧化鉻薄膜中，研究人員測量到了高到足以符合大多數(shù)量子相滑移電路兼容要求的電阻值。
他們還測量了氧化鉻薄膜在一個鈮-硅界面的接觸電阻。用鈮-硅納米線制造量子相滑移電路，是定義新的安培標準的一種方法。研究小組發(fā)現(xiàn)，在氧化鉻和鈮-硅之間增加一層黃金，可以降低接觸電阻，這是一個有利的結果。下一步他們計劃將這種新電阻集成到量子相滑移器件中。
